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關(guān)于優(yōu)造

快速熱退火設(shè)備工藝和原理介紹

  優(yōu)造節(jié)能快速熱退火設(shè)備是什么原理,快速熱退火又能起到什么作用呢,接下來(lái)為大家講解一下關(guān)于退火的原理,快速熱退火設(shè)備也即是讓一些高溫的材料快速降溫,達(dá)到材料成型的作用,所以,這個(gè)退火設(shè)備在很多工廠都是必不可少的設(shè)備。

快速熱退火設(shè)備

快速熱退火設(shè)備



  快速熱退火技術(shù)介紹:

  優(yōu)造節(jié)能快速熱退火 (RTA)技術(shù)指的是將晶片,從環(huán)境溫度快速加熱至約1000–1500K,晶片達(dá)到該溫度后會(huì)保持幾秒鐘,然后完成淬火。這種技術(shù)主要被應(yīng)用于薄膜晶體管、太陽(yáng)電池等器件生產(chǎn)過(guò)程中的摻雜、點(diǎn)缺陷退火、雜質(zhì)激活等高溫( >700 ℃)過(guò)程。在低溫器件,如玻璃襯底的多晶硅薄膜太陽(yáng)電池應(yīng)用中也具有很大的潛力 。



  固相晶化非晶硅(a- S i)薄膜法是一種最常見(jiàn)的間接制備多晶硅薄膜方法 。這種技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是能實(shí)現(xiàn)薄膜大面積化,且工藝簡(jiǎn)單 。但傳統(tǒng)的電熱爐退火進(jìn)行固相晶化時(shí),晶化時(shí)間長(zhǎng)達(dá)幾個(gè)至幾十個(gè)小時(shí),耗能及制造成本高 。而采用 RTA,在較高溫度下幾分鐘內(nèi)就可使非晶硅晶化,而且晶化后的多晶硅膜缺陷較少、內(nèi)應(yīng)力小。

快速熱退火設(shè)備

快速熱退火設(shè)備



  快速熱退火設(shè)備:

  快速熱退火 (RTA)技術(shù)指的是將晶片從環(huán)境溫度快速加熱至約1000–1500K,晶片達(dá)到該溫度后會(huì)保持幾秒鐘,然后完成淬火。這種技術(shù)主要被應(yīng)用于薄膜晶體管、太陽(yáng)電池等器件生產(chǎn)過(guò)程中的摻雜、點(diǎn)缺陷退火、雜質(zhì)激活等高溫( >700 ℃)過(guò)程。在低溫器件,如玻璃襯底的多晶硅薄膜太陽(yáng)電池應(yīng)用中也具有很大的潛力 。



  固相晶化非晶硅(a- S i)薄膜法是一種最常見(jiàn)的間接制備多晶硅薄膜方法 。這種技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是能實(shí)現(xiàn)薄膜大面積化,且工藝簡(jiǎn)單 。但傳統(tǒng)的電熱爐退火進(jìn)行固相晶化時(shí),晶化時(shí)間長(zhǎng)達(dá)幾個(gè)至幾十個(gè)小時(shí),耗能及制造成本高 。而采用 RTA,在較高溫度下幾分鐘內(nèi)就可使非晶硅晶化,而且晶化后的多晶硅膜缺陷較少、內(nèi)應(yīng)力小。



  在某些領(lǐng)域快速熱退火設(shè)備是必不可少,不僅可以快速提高產(chǎn)品的質(zhì)量,而且能讓退火時(shí)間降到最低,這樣產(chǎn)品的產(chǎn)量也就上去了。























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